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Effet Poole-Frenkel dans le monoxyde de silicium dope

1976; Elsevier BV; Volume: 19; Issue: 5 Linguagem: Francês

10.1016/0038-1098(76)91189-3

1879-2766

Jérémy Pinguet, Suk Minn,

Semiconductor materials and devices

L'influence du champ électrique sur les propriétés électriques des couches minces de monoxyde de silicium pur ou dopé est examinée. Après analyse et confrontation des résultats expérimentaux en courant continu, en régime alternatif et en courant thermiquement stimulé, on aboutit à la conclusion qu'il s'agit du même effet Poole-Frenkel qui apparaît dans ces différentes circonstances. Cela s'explique en considérant les micro-hétérogénétiés. The influence of electrical field on the electrical properties of pure or doped silicon monoxyde films has been examined. After analysis and confrontation of the experimental results obtained by direct and alternative currents and by thermally stimulated currents, it has been shown that the same Poole-Frenkel effect appears in these different circumstances. The explanation is based on the heterogeneities in amorphous solids.