Artigo Revisado por pares

Optimization of the channel doping profile of vertical sub-100 nm MOSFETs

1998; Elsevier BV; Volume: 336; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês

10.1016/s0040-6090(98)01315-7

ISSN

1879-2731

Autores

F Kaesen, C Fink, K.G. Anil, W. Hänsch, Theodor Doll, T. Grabolla, Horst Schreiber, I. Eisele,

Tópico(s)

Silicon Carbide Semiconductor Technologies

Referência(s)
Altmetric
PlumX