Optimization of the channel doping profile of vertical sub-100 nm MOSFETs
1998; Elsevier BV; Volume: 336; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês
10.1016/s0040-6090(98)01315-7
ISSN1879-2731
AutoresF Kaesen, C Fink, K.G. Anil, W. Hänsch, Theodor Doll, T. Grabolla, Horst Schreiber, I. Eisele,
Tópico(s)Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Referência(s)