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Thermal activation analysis of dislocation motion in CdTe

1981; Wiley; Volume: 63; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210630126

1521-396X

E.Y. Gutmanas, P. Haasen,

Chalcogenide Semiconductor Thin Films

The activation area and enthalpy of activation for dislocation motion are obtained as a function of plastic deformation and temperature in the nonilluminated and illuminated states of CdTe. Stress and temperature jumps are used. The obstacle profile is obtained in the dark and illuminated states. The experimental results are explained in terms of a double kink mechanisms, with a decrease in energy of double kink formation when the line charge of dislocation increases. Das Aktivierungsvolumen und die Aktivierungs-Enthalpie der Versetzungsbewegung werden als Funktion der plastischen Verformung und Temperatur gemessen (a) im Dunkeln und (b) unter Beleuchtung von CdTe. Es wird eine neue Spannungs- und Temperatursprungmethode benutzt. Das Kraft—Abstands-Profil der Versetzungshindernisse wird für (a) und (b) bestimmt. Die Ergebnisse lassen sich mit einem Doppelkinkenmechanismus der Versetzungsbewegung erklären. Die Bildungsenergien der Doppelkinken scheint dabei mit zunehmender Versetzungsladung abzunehmen.