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Artigo Revisado por pares
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Ex Situ Thermal Cycle Annealing of Molecular Beam Epitaxy Grown HgCdTe/Si Layers

2009; Springer Science+Business Media; Volume: 39; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1007/s11664-009-0956-3

ISSN

1543-186X

Autores

S. Farrell, G. Brill, Y. Chen, P. S. Wijewarnasuriya, Mulpuri V. Rao, Nibir K. Dhar, K. A. Harris,

Tópico(s)

Semiconductor Quantum Structures and Devices

Referência(s)
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Journal of Electronic Materials
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