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Extended defects in vanadium doped rutile. An EPR and TEM study

1984; Wiley; Volume: 82; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210820206

1521-396X

L.C. Otero-Dı́az, J. Soeia, M.Á. Alario-Franco,

X-ray Spectroscopy and Fluorescence Analysis

Electron microscopy and diffraction coupled with electron paramagnetic resonance are used to study the system TiO2,-V2O2on samples prepared at 1373 K. Substitutional and/or interstitial V4+ ions are detected at low concentrations of V2O2 together with isolated extended defects. At higher vanadium concentrations (≥ 5wt % V2O2) the extended defects order giving rise to a, homologous series (MnO2n-l (M = Ti + V). Simultaneously with this ordering process strong interactions occur between the paramagnetic vanadium ions which would appear to be close to the crystallographic shear planes. Microscopie et diffraction électroniques et la résonance paramagnétique électronique ont été utilisée pour étudier le systéme TiO2,-V2O2 sur des échantillons préparés á 1373 K. Pour les faibles concentrations de V2O2 on a pu détecter des ions V4+ substitutionnels et/ou interstitiels ainsi que des défauts étendus et isolés. A plus forte concentration (≥ 5% V2O2 en poids) les défauts étendus s'ordonnent donnant lieu à une série homologue MnO2n-l (M = Ti + V). Simultanément a ce processus d'ordre, des fortes interactions magnétiques ont lieu entre les ions vanadium qui semblent ětre proches des plans de cisaillement cristallographique.