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Propriétés des films étain-azote amorphes réalisés par pulvérisation cathodique réactive-nature de la liaison métal-azote

1975; Elsevier BV; Volume: 30; Issue: 2 Linguagem: Francês

10.1016/0040-6090(75)90085-1

1879-2731

J.J. Hantzpergue, J Rémy,

Acoustic Wave Resonator Technologies

Les propriétés électriques, optiques et structurales des films étain-azote amorphes réalisés par pulvérisation cathodique réactive sont étudiées. La variation de la conductivité électrique en fonction de la température indique un comportement semiconducteur et permet de distinguer deux processus de conduction. Le caractère diélectrique et la largeur de bande interdite (3,5–3,6 eV) du nitrure d'étain Sn3N4 amorphe, principal constituant des films, sont déduits de l'étude de l'absorption optique. La longueur de la liaison SnN (2,25±0.04 Å) est calculée à partir des données de spectroscopie infrarouge. La considération des longueurs de liaison et des largeurs de bande interdite de Ge3N4, Sn3N4 et Pb3N4 permet de conclure que la liaison métal-azote est de type monoélectronique. The electrical, optical and structural properties of amorphous tin-nitrogen films obtained by reactive cathode sputtering have been studied. The temperature dependence of the electrical conductivity shows a semiconductor behaviour and allows two conduction processes to be distinguished. The dielectric properties and the forbidden energy gap (3.5–3.6 eV) of amorphous tin nitride Sn3N4—the main component of the films— are deduced from the optical absorption study. The SnN bond length (2.25±0.04 Å) is calculated from infrared spectroscopy data. According to the bond lengths and the energy gaps of Ge3N4, Sn3N4 and Pb3N4 it is concluded that the metal-nitrogen bond is of a monoelectronic type.