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Artigo Acesso aberto Produção Nacional Revisado por pares
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Filmes finos de SrBi2Ta2O9 processados em forno microondas

2003; Associação Brasileira de Cerâmica; Volume: 49; Issue: 309 Linguagem: Português

10.1590/s0366-69132003000100013

ISSN

1678-4553

Autores

J. S. Vasconcelos, N.S.L.S. Vasconcelos, S.M. Zanetti, J. W. Gomes, E. Longo, E. R. Leite, J.A. Varela,

Tópico(s)

Microwave Dielectric Ceramics Synthesis

Resumo

Filmes finos de SrBi2Ta2O9 foram depositados em substratos de Pt/Ti/SiO2/Si e, pela primeira vez, sinterizados em forno microondas doméstico. Os padrões de difração de raios X mostraram que os filmes são policristalinos. O processamento por microondas permite utilizar baixa temperatura na síntese e obter filmes com boas propriedades elétricas. Ensaios de microscopia eletrônica de varredura (MEV) e de Força Atômica (MFA) revelam boa aderência entre filme e substrato, com microestrutura de superfície apresentando grãos finos e esféricos e rugosidade de 4,7 nm. A constante dielétrica e o fator de dissipação, para freqüência de 100 KHz, à temperatura ambiente, foram de 77 e 0,04, respectivamente. A polarização remanescente (2Pr) e o campo coercitivo (Ec) foram 1,04 miC/cm² e 33 kV/cm. O comportamento da densidade de corrente de fuga revela três mecanismos de condução: linear, ôhmico e outro mecanismo que pode ser atribuído à corrente de Schottky. Dos padrões de DRX, análises das imagens por MEV e topografia de superfície por MFA observa-se que 10 min de tratamento térmico a 550 ºC, em forno microondas, é tempo suficiente para se obter a cristalização do filme.

Referência(s)