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Photovoltage properties of CdSe–Ge isotype heterojunctions

1970; Wiley; Volume: 3; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.19700030216

1521-396X

T.I. Pritchard, M.J. Hampshire, R. D. Tomlinson,

Copper-based nanomaterials and applications

The fabrication and photo-response data are described for n-n CdSe–Ge heterojunctions which were made by vacuum evaporation of CdSe. A model is given which theoretically explains part of the shape of the spectral dependence of the photovoltage produced at zero bias. In forward bias, with the CdSe positive, the sign of the photovoltage changes and this points to a double-depleted band diagram dominated by acceptor-type interface states. Two applications of the photocharacteristics are briefly outlined: one describes a possible null-detecting frequency meter and the other a null-detecting optical pyrometer. Die Präparation und das Photoverhalten von n-n-CdSe–Ge-Heteroübergängen, die durch Vakuum-Aufdampfen von CdSe hergestellt wurden, werden beschrieben. Ein Modell wird angegeben, das theoretisch die Form der Spektralabhängigkeit der Photospannung ohne Vorspannung teilweise erklärt. Bei Vorspannung in Durchlaßrichtung, wobei CdSe positiv ist, ändert sich das Vorzeichen der Photospannung, was auf ein doppelt-verarmtes Bandschema hinweist, das durch Grenzflächen-Akzeptorzustände bestimmt wird. Zwei Anwendungsmöglichkeiten der Photocharakteristiken werden kurz angeführt: ein möglicher null-anzeigender Frequenzmesser und ein null-anzeigendes optisches Pyrometer.