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Gettering of Copper to Oxidation Induced Stacking Faults in Silicon

1990; Wiley; Volume: 117; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211170209

1521-396X

M.D. de Coteau, Peter R. Wilshaw, R. Falster,

Advanced Surface Polishing Techniques

Results are presented from an investigation concerning the influence of oxidation induced stacking faults, their bounding partial dislocations, and mechanically induced surface pits on the precipitation behaviour of copper in silicon. Controlled amounts of copper are diffused into wafers containing such defect structures so that their effect on precipitation behaviour can be studied using TEM and preferential etching techniques. These studies indicate the relative efficiencies of the different defect types as centres for the precipitation of copper and also reveal the different precipitate structures which are produced. Es werden der Einfluß oxydationsinduzierter Stapelfehler, ihrer begrenzenden Partialversetzungen und mechanisch induzierter Oberflächendefekte auf das Präzipitationsverhalten von Kupfer in Silizium untersucht. Gesteuerte Zusätze von Kupfer werden in Wafer diffundiert, die solche Defektstrukturen enthalten, so daß deren Einfluß auf das Präzipitationsverhalten mittels TEM und Ätztechnik untersucht werden kann. Diese Untersuchungen zeigen die relativen Wirksamkeiten der verschiedenen Defekttypen als Präzipitationszentren für Kupfer und zeigen die hervorgerufenen unterschiedlichen Präzipitationsstrukturen.