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Study of defects in silicon after low energy H+ implantation by DLTS measurements

1987; Wiley; Volume: 100; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211000128

1521-396X

J. Krynicki, J.C. Müller, P. Siefert, I. Bryłowska, K. Paprocki,

Integrated Circuits and Semiconductor Failure Analysis

The introduction and annealing of defect states in silicon implanted with H+ ions are studied by capacitance transient spectroscopy (DLTS) on Schottky barrier structures. Several of the observed defect levels can be correlated with those identified in electron-irradiated silicon. Passivation of the defect states by hydrogen atoms is observed after 200 °C annealing. A tentative interpretation of the observed level as deduced from the annealing process is proposed. La création et la guérison des défauts d'implantation d'ions H+ dans le silicium sont étudiées sur des structures à barrière de Schottky par des mesures de capacité transitoire (DLTS). Certains défauts observés peuvent ětre corrélés aux défauts identifiés dans le silicium irradié par électrons. Une neutralisation des défauts par les atomes d'hydrogène est observée après un recuit thermique à 200 °C. Une tentative d'interprétation des défauts observés est proposée à partir de l'étudo de leur guérison.