Microstructure Influence on the First Stage of the Oxidation Process in Polycrystalline SiGe Layers
1996; Scientific.net; Volume: 51-52; Linguagem: Inglês
10.4028/www.scientific.net/ssp.51-52.199
ISSN1662-9787
AutoresJuan Carlos Ferrer, J.J. Pedroviejo, B. Garrido, J.R. Morante, J. Calderer,
Tópico(s)Thin-Film Transistor Technologies
Referência(s)