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Overview no. 78 Epitaxy of cubic crystals on (001) cubic substrates

1989; University of Toronto Press; Volume: 37; Issue: 3 Linguagem: Inglês

10.1016/0001-6160(89)90001-1

1878-0768

Masaharu Kato, M. Wada, Akira Sato, T. Mori,

X-ray Diffraction in Crystallography

The epitaxy of a deposit cubic crystal on the (001) plane of a substrate cubic crystal has been examined. Commonly observed epitaxies have been classified into two major groups depending on whether the (001) deposit plane or the (110) deposit plane becomes parallel to the (001) substrate plane. By considering the simple geometrical matching of two crystals at an interface, a quantitative criterion has been derived to predict the relative favorabilities of various epitaxial relationships. The most favorable epitaxies, predicted by the criterion, in various deposit/substrate systems are in good agreement with experimentally observed ones reported in the literature. Nous avons étudié l'épitaxie d'un dépôt monocristallin cubique sur le plan (001) d'un support monocristallin cubique. Les epitaxies couramment observées ont été classées en deux groupes principaux suivant que c'est le plan (001) ou (110) du dépôt qui est parallèle au plan (001) du support. La considération du simple accord géométrique des deux cristaux à l'interface nous a permis de formuler um critère quantitatif pour prévoir les probabilités relatives des différentes relations d'épitaxie. Les epitaxies les plus probables, prévues par ce critère, dans plusieurs systèmes dépôt/support sont en bon accord avec celles qui ont été observées expérimentalement et que l'on trouve dans la littérature. Das epitaktische Verhalten eines kubischen Kristalles, der auf einer (001)-Ebene eines Substrates liegt, wird untersucht. Die üblicherweise beobachteten Orientierungsbeziehungen werden in zwei gröβere Kategorien klassifiziert, (001)-Ebene oder (110)-Ebene des aufliegenden Kristalles parallel zur (001)-Ebene des Substratkristalles. Mit der Betrachtung der einfachen geometrischen Passung zweier Kristalle an einer gemeinsamen Grenzfläche wird ein quantitatives Kriterium abgeleitet, mit dem die verschiedenen epitaktischen Orientierungsbeziehungen nach ihrer Häufigkeit eingeordnet werden können. Die meisten der bevorzugten epitaktischen Beziehungen, die für die verschiedenen Schicht-Substrat-Systeme vom Kriterium vorausgesagt werden, stimmen mit den in der Literatur angegebenen experimentellen Beziehungen gut überein.