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Artigo Revisado por pares
BIBTEX RIS

Stress-sensitive properties of silicon-gate MOS devices

1981; Elsevier BV; Volume: 24; Issue: 3 Linguagem: Inglês

10.1016/0038-1101(81)90085-x

ISSN

1879-2405

Autores

H. Mikoshiba,

Tópico(s)

Nanowire Synthesis and Applications

Referência(s)
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Solid-State Electronics
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PlumX