No volatilidad en láminas ferroeléctricas de SBT a 75°C
2002; Elsevier BV; Volume: 41; Issue: 1 Linguagem: Espanhol
10.3989/cyv.2002.v41.i1.691
ISSN2173-0431
AutoresRicardo Jiménez, A. González, C. Alemany, M. L. Calzada, J. Mendiola,
Tópico(s)Geophysics and Sensor Technology
ResumoEl estudio de la no volatilidad de una memoria FeRAM de tantalato de bismuto y estroncio, SrBi 2 Ta 2 O 9 (SBT) en condiciones reales de uso, requiere la caracterización ferroeléctrica del material en forma de lámina delgada a temperaturas por encima del ambiente.Para ello se han depositado láminas de SBT mediante un método sol-gel, sobre substratos de Pt/TiO 2 /SiO 2 /Si(100), seleccionándose condensadores de área 5.10 -4 cm -2 .Basándonos en las medidas de la variación de la polarización con el tiempo (retención) realizadas a temperatura ambiente y a 75ºC, analizamos la viabilidad del material como una FeRAM en condiciones reales de uso. Palabras clave:
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