Dynamique de reseau et frequences des modes de vibration pour des impuretes substitutionnelles dans InP, GaP et ZnS
1977; Elsevier BV; Volume: 38; Issue: 7 Linguagem: Francês
10.1016/0022-3697(77)90071-3
ISSN1879-2553
Autores Tópico(s)Chalcogenide Semiconductor Thin Films
ResumoUn modèle d'ions rigides à 11 paramètres comprenant les interactions générales entre premiers voisins, seconds voisins et les forces de Coulomb, est utilisé pour expliquer à la fois les résultats expérimentaux de diffusion de neutrons et les résultats d'absorption IR dans InP. Un modèle mathématique qui utilise la technique des fonctions de Green est ensuite employé pour prévoir les fréquences de vibration des impuretés substitutionnelles pour ce matériau dans l'approximation du défaut de masse et du défaut de constante de force entre premiers voisins. La fréquence des modes localisés, de gap et de bande est calculée pour diverses impuretés substitutionnelles en fonction du défaut de constante de force pris comme paramètre. Le même calcul est donné pour deux autres composés ayant également la structure de la blende et un grand gap de phonons: GaP et ZnS. Une comparaison est donnée avec les résultats expérimentaux disponibles. The model used is a rigid-ion model with an effective ionic charge including general interactions for nearest and next nearest neighbours and long range Coulomb interactions. It provides a good fit with available neutron data and with IR absorption results for InP. In this model, no hypothesis is made a priori on the interatomic forces and the eleven parameters given by the model are used. A mathematical model which employs a Green's function technique in the mass defect and the nearest neighbour force constant defect approximation is used to calculate the lattice dynamics of the imperfect crystal. The frequencies of the local modes, the gap modes and the band modes, are given for isolated substitutional impurities. The same calculation is achieved for GaP and ZnS and the results are compared with IR data.
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