Diffusion mediated by doping and radiation-induced point defects
2006; Elsevier BV; Volume: 376-377; Linguagem: Inglês
10.1016/j.physb.2005.12.006
ISSN1873-2135
Autores Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)2006; Elsevier BV; Volume: 376-377; Linguagem: Inglês
10.1016/j.physb.2005.12.006
ISSN1873-2135
Autores Tópico(s)Semiconductor materials and devices
Referência(s)