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Die relative Unterkühlung an Quarzglasoberflächen und anderen Substraten beim chemischen Transport fester Stoffe über die Gasphase

1985; Wiley; Volume: 529; Issue: 10 Linguagem: Alemão

10.1002/zaac.19855291024

1521-3749

Harald Schäfer, Werner Jagusch, Heinrich Wenderdel, Ulrich Griesel,

Luminescence Properties of Advanced Materials

Abstract Die relative Unterkühlung an geätzten Quarzglasoberflächen beim chemischen Transport von ZnS im Iod‐strom bei 652–854°C wird zu ΔT = 37–43° gefunden. Kratzer auf Quarzglas führen zu wesentlich geringerer Unterkühlung. Bei der Abscheidung von aus „reinen”︁ Komponenten hergestelltem ZnS im T‐Gefälle findet eine erhebliche Fraktionierung statt. In geschlossenen (geätzten) Quarzglasampullen wurde mit den Transportsystemen ZnS/I 2 , ZnSe/I 2 , ZnS/HCl, ZnS/H 2 , CdS/I 2 ; CdSe/I 2 und Al 2 S 3 /I 2 sowie mit Nb 2 O 5 /NbCl 5 in einem speziellen Ofen die relative Unterkühlung ΔT bestimmt. Die keimfreien (kristallfreien) Bereiche betragen z. B. bei T 2 ≈ 800°C je nach System (und T 2 ) ΔT ≈ 13–45°. Die Variation der Substrate ergab, daß die Unterkühlung für ZnS/I 2 für feuerpolierte Quarzglasfläche ΔT ≈ 56° beträgt. Für verschiedene Quarzflächen (Kristalle) bei T 2 = 830°C und ZnS/I 2 ist ΔT ≈ 13–35°. Generell ist für ZnS/I 2 auf verschiedenartigen Substraten (Bruchstücken) ΔT ≈ 20–28°. Auf anderem Wege wird für die Systeme MoO 3 /Cl 2 ; MoO 3 /Cl 2 , Ar; MoO 3 /Cl 2 , O 2 ; MoO 3 /HgCl 2 an geätztem Quarzglas ein mit steigendem T 2 stark abfallender Wert für die Unterkühlung ΔT gefunden.