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Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300°K

1968; Elsevier BV; Volume: 11; Issue: 6 Linguagem: Francês

10.1016/0038-1101(68)90012-9

1879-2405

Simon M. Sze, J.C. Irvin,

Semiconductor materials and devices

The resistivity and mobility data of GaAs at 300°K have been analyzed by least-square method and plotted as a function of the impurity concentration. The measured impurity levels in GaAs have been presented in graphical form for the most accurate and up-to-date values. For convenient reference the published results for Ge and Si are also presented. Les données de mobilité et de résistivité de AsGa à 300°K ont été analysées par la méthode du moindre carré et tracées en fonction de la concentration d'impuretés. Les niveaux d'impuretés mesurés dans le AsGa ont été présentés en forme graphique pour les valeurs les plus récentes et les plus exactes. Pour une référence convenable, les résultats publiés pour le germanium et le silicium sont aussi présentés. Daten des spezifischen Widerstands und der Beweglichkeit für GaAs bei 300°K wurden nach der Methode kleinster Abweichungsquadrate analysiert und als Funktion der Störstellenkonzentration aufgetragen. Die gemessenen Störstellenniveaus in GaAs wurden unter Verwendung der genauesten und neuesten Werte in Kurvenform dargestellt. Zu Vergleichszwecken sind die veröffentlichten Ergebnisse für Ge und Si ebenfalls angegeben.