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Artigo Revisado por pares
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Structural study of GaN grown on (001) GaAs by organometallic vapor phase epitaxy

1999; Springer Science+Business Media; Volume: 28; Issue: 7 Linguagem: Inglês

10.1007/s11664-999-0212-x

ISSN

1543-186X

Autores

In‐Tae Bae, Tae‐Yeon Seong, Young Ju Park, Eun Kyu Kim,

Tópico(s)

Ga2O3 and related materials

Referência(s)
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Journal of Electronic Materials
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