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Artigo Revisado por pares
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Chemical dry etching of GaAs(100) by HC1: products, rate, and a kinetic model

1994; Elsevier BV; Volume: 312; Issue: 1-2 Linguagem: Inglês

10.1016/0039-6028(94)90816-8

ISSN

1879-2758

Autores

Chaochin Su, Zi-Guo Dai, Weiang Luo, Dong-Hong Sun, Matthew F. Vernon, Brian E. Bent,

Tópico(s)

Electronic and Structural Properties of Oxides

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