Growth and characterization of undoped and doped Bi12 TiO20 crystals
1993; Wiley; Volume: 140; Issue: 1 Linguagem: Inglês
10.1002/pssa.2211400127
ISSN1521-396X
AutoresF. Mersch, K. Buse, W. Sauf, H. Hesse, E. Krätzig,
Tópico(s)Solid State Laser Technologies
ResumoSingle crystals of B12 TiO20 are grown from solutions containing an excess of Bi2O3 by the TSSG ("top-seeded solution growth") technique. Doping with iron, manganese, aluminium, and chromium is performed by adding the oxides to the melt. Measurements of dielectric constant, refractive indices, optical activity, absorption, light-induced absorption, and dark conductivity are performed. Bi12TiO20-Einkristalle werden aus Lösungen mit einem Überschuß an Bi2O3 unter Verwendung der TSSG ("top-seeded solution growth")-Technik gezüchtet. Dotierung mit Eisen, Mangan, Aluminium und Chrom erfolgt durch Beimischung der entsprechenden Oxide zur Schmelze. Messungen der Dielektrizitätskonstanten, der Brechungsindizes, der optischen Aktivität, der Absorption, der lichtinduzierten Absorption sowie der Dunkelleitfähigkeit werden durchgeführt.
Referência(s)