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Photoconduction et effets photovoltaïques dans des couches minces pulverisées de ZnS

1974; Elsevier BV; Volume: 24; Issue: 1 Linguagem: Francês

10.1016/0040-6090(74)90262-4

1879-2731

H. Murray, A. J. Tosser,

Surface and Thin Film Phenomena

Nous décrivons les effets photoélectriques observés dans des structures “sandwich” Al/ZnS/Au avec une épaisseur de diélectrique comprise entre 150 et 600 Å. Nous observons, d'une part, un effet photovoltaïque correspondant á une tension en circuit ouvert atteignant 0, 3 V dont le signe s'inverse en fonction de la longueur d'onde du rayonnement lumineux et, d'autre part, un courant de photoconduction, proportionnel au flux lumineux. Des interprétations sont proposées, d'une part, á partir de transitions interbandes dans le diélectrique lorsque l'énergie des photons incidents est supérieure á la largeur de bande du ZnS et, d'autre part, á partir d'une photoexcitation des centres coulombiens responsables du courant d'obscurité Poole-Frenkel, lorsque l'énergie des photons incidents est inférieure á la largeur de bande du diélectrique. Data concerning photoelectric effects in Al/ZnS/Au structures (dielectric thickness from 150 to 600 Å) are presented. In this structure we have observed a photovoltaïc open-circuit voltage which reaches about 0.3 V and whose polarity changes with the wavelength of the incident illumination; furthermore, the observed photocurrent varies linearly with the intensity of the incident light. We propose that these photoeffects are due to interband transitions in the dielectric for photon energies above the ZnS band gap, and to photoexcitation of coulombic centres for lower photon energies.