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Infrared study of (H,Be)-, (D,Be)-, and (Li,Be)-acceptor complexes in silicon

1990; American Physical Society; Volume: 41; Issue: 9 Linguagem: Francês

10.1103/physrevb.41.5881

1095-3795

R. E. Peale, K. Muro, A. J. Sievers,

Thin-Film Transistor Technologies

On montre que (Li, Be) est un defaut fixe oriente avec une decomposition de l'etat fondamental par deformation locale. De plus, (D, Be) et (H, Be) subissent soit un effet tunnel, soit un mouvement de rotor retarde