Portal de Periódicos da CAPES

Transport properties of n-type CuInSe2

1984; Wiley; Volume: 82; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210820228

1521-396X

S. M. Wasim, A. Noguera,

Advanced Semiconductor Detectors and Materials

The electrical properties of as-grown n-type CuInSe, single crystal are studied between 80 and 300 K. The sample, which is highly compensated, has a shallow donor level of ionization energy of about 6 meV. The mobility data are analysed by taking into account the scattering by ionized impurities, acoustic and polar optical phonons. The conduction band deformation potential is found to be 19.5 eV. The thermal conductivity of the same sample is measured between 4 and 80 K. The data can be explained by considering the scattering of phonons by boundary, impurities, umklapp, and normal processes. The low value of the correction factor F = 0.34, is interpreted as due to the scattering of phonons by extended defects originating from the large microscale fluctuations in the composition of CuInSe2. Les propriété électriques d'un cristal simple de CuInSe2 type-n ont été étudiées entre 80 et 300 K. L'échantillon qui est hautement compensé, possède un nivau donneur peu profond d'énergie d'ionisation d'environ 6 meV. Les données ont été analisées en tenant compte de la dispersion par impuretés ionisées, l'acoustique et le fonon polaire optique. Le potentiel de déformation de la bande de conduction resulte égal à, 19,5 eV. La conductivityé thermique dans les měmes échantillons a été mesurée entre 4 et 80 K. Les données peuvent s'expliquer en considérant la dispersion des fonons par limitation, impuretés, Umklapp et procédés normaux. La basse valeur du facteur de correction F = 0,34, a été interprété comme résultant de la dispersion de fonons par les défauts étendus ayant pour origine (en micro-échelle) les grandes fluctuations dans la composition du CuInSe2.