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Homojonction CdTe par croissance épitaxique en phase vapeur

1977; EDP Sciences; Volume: 12; Issue: 2 Linguagem: Francês

10.1051/rphysap

2777-3671

J. Mimila‐Arroyo, A.S. Bouazzi, G. Cohen‐Solal,

Quantum Dots Synthesis And Properties

Nous sommes engages dans un programme oriente vers la preparation et l'etude des proprietes de cellules solaires a largeur de bande interdite variable CdTe-CdxHg1-xTe. On sait qu'un gradient de bande interdite a pour double effet d'une part de contribuer a la tension de sortie du generateur (tension photovoltaique de volume) et d'autre part de reduire les recombinaisons de surface et en volume par accroissement des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires sous l'effet d'un quasi-champ electrique interne. Une partie du programme concerne la croissance epitaxique de CdTe par la methode de transport en phase vapeur a courte distance. Les films deposes sur un substrat monocristallin de CdTe sont toujours polycristallins et sont orientes par epitaxie. La taille des grains est influencee par l'etat de surface (apres attaque chimique et thermique) et la temperature du substrat (500 °C a 600 °C) ; elle depend egalement de la procedure de croissance ainsi que de sa vitesse (la vitesse moyenne etant de 1,5 micron/minute pour un gradient de temperature de 50 °C/min.) ; des couches de type p ont ete deposees, en utilisant une source en CdTe dope a l'arsenic, sur des substrats monocristallins de CdTe de type n, dope a l'indium et de faible resistivite. Nous decrirons et discuterons les resultats preliminaires obtenus avec des homojonctions CdTe avec un effort pour degager l'influence des parametres de base du materiau sur les caracteristiques des photopiles solaires. Exemple des resultats experimentaux : Voc = 0,62 V, Jcc = 12 mA/cm2, η = 3,25 %.