External rf substrate biasing during a-Si:H film growth using the expanding thermal plasma technique
2004; Cambridge University Press; Volume: 808; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-808-a9.21
ISSN1946-4274
AutoresArno H. M. Smets, W. M. M. Kessels, M. C. M. van de Sanden,
Tópico(s)Silicon and Solar Cell Technologies
Referência(s)