Preparation of β–SiC Nanorods with and Without Amorphous SiO 2 Wrapping Layers
1998; Springer Nature; Volume: 13; Issue: 9 Linguagem: Inglês
10.1557/jmr.1998.0353
ISSN2044-5326
AutoresGuoyun Meng, Lei Zhang, C. M. Mo, S. Y. Zhang, Yuwei Qin, Shun Feng, H. J. Li,
Tópico(s)Silicon Carbide Semiconductor Technologies
Referência(s)