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Luminescences excitoniques et du bord de bande du thiogallate d'argent (AgGaS2)

1986; Wiley; Volume: 95; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210950238

1521-396X

J. P. Aicaedi, G. Agüero,

Perovskite Materials and Applications

Une étude systématique des émissions d'excitons libres et liés des transitions du bord de bande a été faite sur des cristaux de thiogallate d'argent (AgGaS2). En cathodoluminescence nous montrons l'influence importante de la réabsorption sur l'exciton libre. La photoluminescence est réalisée á l'aide d'un laser á azote pulsá (excitation á 337 nm, puissance 1 MW). Nous interprétons l'exciton libre á 2,700 eV, sa réplique phonon á 2,658 eV et l'exciton dans l'état excité n  2. La luminescence I1 (2,690 eV) est due á l'annihilation de l'exciton piégé sur accepteur neutre. La raie J1 (2,679 eV) pourrait provenir d'une interaction entre deux excitons libres. Les recombinaisons á 2,620 et 2,590 eV seraientdues á des transitions bande de conduction-accepteur et donneur-accepteur. A systematic study of free excitons, bound excitons, and edge emission is performed on silver thiogallate (AgGaS2). The cathodoluminescence technique used reveals self-absorption phenoma which are considerable for the free exciton. A nitrogen pulsed laser is used for photoluminescence studies. We interpreted the free exciton peak found at 2.700 eV, its phononreplica peak at 2.658 eV, and the n  2 excited state of the exciton. The I1 (2.690 eV) line is due to an exciton bound on a neutral acceptor. The J1 luminescence (2.679 eV) is interpreted as interaction between two free excitons. The recombination peaks at 2.620 and 2.590 eV may be a free to bound and a donor-acceptor transition.