Artigo
“Barrierless” Misfit Dislocation Nucleation in SiGe/Si Strained Layer Epitaxy
1992; Cambridge University Press; Volume: 263; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-263-391
ISSN1946-4274
AutoresD. D. Perovic, D. C. Houghton,
Tópico(s)Semiconductor materials and interfaces
Referência(s)