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The binding energy of donor impurities in gaas quantum dots under the pressure effect

2007; Mexican Society of Physics; Volume: 53; Issue: 6 Linguagem: Espanhol

2683-2224

S.T. Pérez-Merchancano, L. E. Bolívar-Marinéz, J. Silva‐Valencia,

GaN-based semiconductor devices and materials

Nosotros presentamos calculos de la energia de enlace de impurezas hidrogenoides centradas y por fuera del centro en puntos cuanticos de GaAs bajo presion hidrostatica. En este calculo nosotros usamos el metodo variacional dentro de la aproximacion de la masa efectiva. Se encontro que el efecto de la presion es ejercer un confinamiento adicional sobre la impureza dentro del punto cuantico, por lo tanto la energia de enlace aumenta para cualquier valor del radio del punto, sin importar la posicion de la impureza. Tambien encontramos que la energia de enlace depende de la posicion de la impureza dentro del punto y que los efectos de la presion son menos pronunciados cuando la impureza esta en el borde del punto.