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Microstructure of Zirconia Films Prepared by Argon Ion Beam Enhanced Deposition

1992; Wiley; Volume: 132; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211320215

1521-396X

N. K. Huang, H. Kheyrandish, J.S. Colligon,

Diamond and Carbon-based Materials Research

The microstructure of zirconia films prepared by argon ion beam enhanced deposition is examined with RBS, TEM, XRD, and XPS. The results show that the films consist of three layers: the first layer of about 8 nm exists on the uppermost surface of the sample, which was contaminated by carbon, the second layer is the bulk of the film which is approximately stoichiometric under certain conditions, and the third layer is a transition layer of about 15 to 20 nm between zirconia and substrate. Partial crystallization of the films happens in our experimental conditions and phase identification is also made. Die Mikrostruktur von Zirkonoxydschichten, die durch argonionenstrahlgestützte Abscheidung hergestellt wurden, wird mittels RBS, TEM, XRD und XPS untersucht. Es zeigt sich, daß die Filme aus drei Schichten bestehen, die erste, mit 8 nm Dicke, an der mit Kohlenstoff verunreinigten Oberfläche, die zweite der Film selbst, der unter bestimmten Bedingungen annähernd stöchiometrische Zusammensetzung zeigt, die dritte Lage ist eine etwa 15 bis 20 nm dicke Zwischenschicht zwischen Zirkonoxyd und Substrat. Unter den vorliegenden experimentellen Bedingungen kristallisieren die Schichten teilweise. die auftretenden Phasen werden identifiziert.