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Effect of giant electric fields on the optical properties of GaN quantum wells

2007; Mexican Society of Physics; Volume: 53; Issue: 4 Linguagem: Espanhol

2683-2224

G. González de la Cruz, Hugo Herrera, A. Calderón Arenas,

ZnO doping and properties

Los campos piezoelectricos y espontaneos son de gran relevancia en el estudio de las propiedades opticas en estructuras nitrogenadas. Dichos campos modifican los estados electronicos en el pozo cuantico y como consecuencia la energia de emision en los espectros de fotoluminiscencia. Los campos electricos presentes en el pozo cuantico, por ejemplo GaN/Al X Ga 1-X N, inhiben la transicion de recombinacion entre electrones en la banda de conduccion y huecos en la banda de valencia. Ademas, el corrimiento hacia bajas energias en la posicion del pico de fotoluminiscencia y la separacion espacial entre electrones y huecos en el limite de campos electricos intensos, son explicados usando un pozo de potencial triangular en la ecuacion de Schrodinger en lugar de un pozo cuadrado. Las energias de transicion obtenidas por este modelo son comparadas con experimentos de fotoluminiscencia.