Artigo
Bulk Growth Of Silicon Carbide Crystals: Analysis Of Growth Rate And Crystal Quality
1997; Cambridge University Press; Volume: 483; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-483-301
ISSN1946-4274
AutoresDieter Hofmann, R. Eckstein, L. Kadinski, M. Kölbl, Marcus Müller, St.G. Müller, Erwin Schmitt, Amd-Dietrich Weber, A. Winnacker,
Tópico(s)Thin-Film Transistor Technologies
Referência(s)