Simulación numérica de señales de radiometría fototérmica en mono cristales de silicio
2009; Mexican Society of Physics; Volume: 48; Issue: 005 Linguagem: Espanhol
ISSN
2683-2224
AutoresI. Campos Cantón, M. Rodríguez, Facundo Ruíz,
Tópico(s)Thermography and Photoacoustic Techniques
ResumoUTILIZANDO EL MODELO TEORICO PROPUESTO POR MANDELIS ET AL. Y MEDIANTE SIMULACION NUMERICA, SE ANALIZA DETALLADAMENTE LA GENERACION DE RADIACION DE CUERPO NEGRO FOTO-INDUCIDA (SENAL DE RADIOMETRIA FOTOTERMICA) EN OBLEAS DE SILICIOS MONOCRISTALINO. SE REPORTA LA INFLUENCIA PARTICULAR DE DICHA RADIACION EN CADA UNO DE LOS PRINCIPALES PARAMETROS FISICOS INVOLUCRADOS. LOS VALORES UTILIZADOS PARA ESTOS PARAMETROS ESTAN DENTRO DE LOS RANGOS REPORTADOS PARA OBLEAS DE SILICIO INDUSTRIALES. SE PRESENTAN Y DISCUTEN LOS RESULTADOS OBTENIDOS. Abstract BY USING THE THEORETICAL MODEL PROPOSED BY MANDELIS ET AL. AND A NUMERICAL SIMULATIONS. WE HAVE ANALYSED THE GENERATION OF PHOTOINDUCED BLACK BODY RADIATION (PHOTOTHERMAL RADIMOMETRY SIGNAL) ON MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS. WE REPORT THE PARTICULAR ROLE OF EACH ONE OF THE MAIN PARAMETERS INVOLVED ON THE PHOTOTERMAL SIGNAL. THE PARAMETER VALUES WERE TAKEN OF THE REPORTED VALUES FOR INDUSTRIAL SILICON WAFERS.WE SHOW A DISCUSS THE OBTAINED RESULTS.
Referência(s)