Stress Controlled MBE-growth of GaN:Mg and GaN:Si
1997; Cambridge University Press; Volume: 482; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-482-217
ISSN1946-4274
AutoresYoungmee Kim, R. Klockenbrink, C. Kisielowski, J. Krueger, Dorina Corlatan, G. S. Sudhir, Y. Peyrot, Y. Cho, M. Rubı́n, E. R. Weber,
Tópico(s)ZnO doping and properties
Referência(s)