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Herstellung, Struktur und Oxidation von donorstabilisiertem Gallium( I )‐iodid: Ga 8 I 8 · 6 PEt 3

1997; Wiley; Volume: 109; Issue: 18 Linguagem: Alemão

10.1002/ange.19971091811

1521-3757

C. Doriat, M. Friesen, E. Baum, Achim Ecker, Hansgeorg Schnöckel,

Inorganic Fluorides and Related Compounds

Nur vorgetäuscht wird eine Ga‐Ga‐Bindung durch den kurzen Abstand zwischen den zweifach iodverbrückten Atomen des nahezu planaren Achtrings in Ga 8 I 8 · 6 PEt 3 (siehe rechts). Bemerkenswert ist dieser Befund auch insofern, als entsprechende Al 1 ‐Halogenide Al‐Vierringe aufweisen. D = PEt 3 . magnified image