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Artigo Revisado por pares
BIBTEX RIS

Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al + implanted 4H-SiC

2012; Springer Nature; Volume: 28; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1557/jmr.2012.207

ISSN

2044-5326

Autores

Roberta Nipoti, Raffaele Scaburri, Anders Hallén, A. Parisini,

Tópico(s)

Semiconductor materials and devices

Referência(s)