Artigo
Acesso aberto
Revisado por pares
The mechanism for the 3×3 distortion of Sn/Ge(111)
2000; Elsevier BV; Volume: 454-456; Linguagem: Inglês
10.1016/s0039-6028(00)00066-2
ISSN1879-2758
AutoresStefano de Gironcoli, Sandro Scandolo, Gerardo Ballabio, Giuseppe E. Santoro, Erio Tosatti,
Tópico(s)Semiconductor Quantum Structures and Devices
Referência(s)