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On the analysis of thermoluminescence glow pattern

1974; Wiley; Volume: 22; Issue: 1 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2210220139

1521-396X

D. Ramachandra Rao,

Gas Sensing Nanomaterials and Sensors

In the case of a thermoluminescence (TL) glow pattern which exhibits several overlapping glow maxima at different regions of temperature, the available methods cannot be used profitably to calculate trap depth (E) and frequency factor (S) for the different glow peaks of the pattern unless they are made well separated. A simple method is suggested by which it becomes possible to analyse such a complex TL pattern from its high temperature end and get well separated peaks. An analysis of the TL patterns of pure and doped CaF2 crystals (excited by 10 kV electrons in the temperature range 300 to 450 K) indicates that the glow peaks, observed between 300 and 700 K, are associated with traps having depths (E) in the range 0.52 to 1.65 eV and frequency factors (S or S′n0) in the range 6.1 × 105 to 1.2 × 1013 s−1. Im Falle einer Thermolumineszenz (TL)-Glowkurve, die mehrere überlappende Glowmaxima in verschiedenen Temperaturbereichen besitzt, können die üblichen Methoden zur Berechnung der Haftstellentiefe (E) und des Frequenzfaktors (S) für verschiedene Glowmaxima der Kurve nicht erfolgreich benutzt werden, wenn diese nicht gut getrennt werden. Es wird eine einfache Methode vorgeschlagen, mit der es möglich ist, eine solche komplexe TL-Kurve von ihrem Hochtemperaturende her zu analysieren und gut getrennte Maxima zu erhalten. Eine Analyse der TL-Kurven von reinen und dotierten CaF2-Kristallen (Anregung durch 10 kV-Elektronen im Temperaturbereich 300 bis 450 K) zeigt, daß die Glowmaxima, die zwischen 300 und 700 K beobachtet werden, mit Haftstellen verknüpft sind, deren Tiefe (E) im Bereich 0,52 bis 1,65 eV liegt mit Frequenzfaktoren (S oder S′n0) im Bereich 6,1 × 105 bis 1,2 × 1013 s−1.