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Backscattering and Optical Studies of Ytterbium Implanted into AIIIBV Compounds

1989; Wiley; Volume: 112; Issue: 2 Linguagem: Inglês

10.1002/pssa.2211120242

1521-396X

A. Kozanecki,

Advanced Semiconductor Detectors and Materials

InP and GaxIn1−xP samples implanted with 180 keV Yb+ ions are studied by Rutherford back-scattering and by luminescence at 4.2 K. It is shown that Yb is not segregated at the surfaces of indium compounds and does not retard the recrystallization processes, contrary to the behavior in gallium compounds. This is related to a different location of Yb in these crystal lattices. It is also shown that Yb implanted to GaxIn1−xP crystals is easily activated optically by thermal annealing. The luminescence spectra of Yb in GaxIn1− xP crystals are presented for the first time. InP- und GaxIn1−xP-Proben, die mit 180 keV Yb+-Ioncn implantiert sind, werden mittels Rut-her-ford-Rüekatreuung und Lumineszenz bei 4,2 K untersucht. Es wird gezeigt, daß Yb nicht an der Oberfläche der Indiumverbindungshalbleiter segregiert und der Rekristallisationsprozeß niclit blockiert wird, wie das im Unterschied dazu für Galliumverbindungshalbleiter der Fall ist. Das ist mit dem unterschiedlichen Einbau des Yb in das Kristallgitter verbunden. Es wird gezeigt. daß Yb, implantiert in GaxIn1 −xP-Kristalle, leicht durch thermisches Bchandeln optisch aktiviert wird. Die Lumineszenzspektren von Yb in GaxIn1−xP-Kristallen werden erstmals dargestellt.