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CARACTERIZAÇÃO DA DEPOSIÇÃO DE UM SISTEMA DE “SPUTTERING” DC

1989; Volume: 8; Linguagem: Português

10.17563/rbav.v8i1-2.814

1983-4047

Marco Antônio Silveira, Alaide P. Mammana,

Electrophoretic Deposition in Materials Science

Como parte da caracterizacao de um sistema de pulverizacao catodica (sputtering) DC por nos desenvolvido, foram estudados filmes finos de Si e Ta sobre substratos amorfos e cristalinos. Verificou—se a linearidade da taxa de deposicao para potencias na faixa de 25 a 150 W e pressoes na câmara entre 30 a 100 mTorr.Os filmes depositados apresentaram boa aderencia aos substratos, tendo revelado a presenca de oxigenio e argonio por medidas de RBS. Os filmes de Ta tem resistividade na faixa de 1,8 a 10,1 mohm.cm, dependendo das condicoes de deposicao, densidade de 12,4 ± 0,3 g/cm3, com estrutura ? (ccc) fortemente orientada na direcao (110) e graos da ordem de 30 A independentemente do tipo de substrato. Micrografias eletronicas dos filmes revelaram uma estrutura colunar perpendicular a superficie dos substratos.