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ChemInform Abstract: REACTIVE PLASMA DEPOSITED SILICON‐NITROGEN FILMS FOR MOS‐LSI PASSIVATION

1978; Wiley; Volume: 9; Issue: 30 Linguagem: Alemão

10.1002/chin.197830033

2199-2924

A. K. Sinha, H. J. Levinstein, T. E. Smith, G. Quintana, S. E. Haszko,

Plasma Diagnostics and Applications

Abstract In einem verbesserten radialen Strömungsreaktor werden aus NH 3 und SiH 4 in einem Hf‐Plasma bei 275°C amorphe Si‐N‐Filme mit Si/N‐Verhältnissen von 0.75‐1.5, Dichten von 2.8‐2.2g cm ‐3 , Brechungsindizees von 1.9‐2.3, Druckspannungen von 2·10 9 dyn cm ‐2 und Zugspannungen bis zu 5·10 9 dyn cm ‐2 sowie elektrischen Widerständen bei 2·10 6 V cm ‐1 von 10 20 ‐10 4 Ω·cm synthetisiert.