ChemInform Abstract: REACTIVE PLASMA DEPOSITED SILICON‐NITROGEN FILMS FOR MOS‐LSI PASSIVATION

1978; Wiley; Volume: 9; Issue: 30 Linguagem: Alemão

10.1002/chin.197830033

ISSN

2199-2924

Autores

A. K. Sinha, H. J. Levinstein, T. E. Smith, G. Quintana, S. E. Haszko,

Tópico(s)

Plasma Diagnostics and Applications

Resumo

Abstract In einem verbesserten radialen Strömungsreaktor werden aus NH 3 und SiH 4 in einem Hf‐Plasma bei 275°C amorphe Si‐N‐Filme mit Si/N‐Verhältnissen von 0.75‐1.5, Dichten von 2.8‐2.2g cm ‐3 , Brechungsindizees von 1.9‐2.3, Druckspannungen von 2·10 9 dyn cm ‐2 und Zugspannungen bis zu 5·10 9 dyn cm ‐2 sowie elektrischen Widerständen bei 2·10 6 V cm ‐1 von 10 20 ‐10 4 Ω·cm synthetisiert.

Referência(s)
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