ChemInform Abstract: REACTIVE PLASMA DEPOSITED SILICON‐NITROGEN FILMS FOR MOS‐LSI PASSIVATION
1978; Wiley; Volume: 9; Issue: 30 Linguagem: Alemão
10.1002/chin.197830033
ISSN2199-2924
AutoresA. K. Sinha, H. J. Levinstein, T. E. Smith, G. Quintana, S. E. Haszko,
Tópico(s)Plasma Diagnostics and Applications
ResumoAbstract In einem verbesserten radialen Strömungsreaktor werden aus NH 3 und SiH 4 in einem Hf‐Plasma bei 275°C amorphe Si‐N‐Filme mit Si/N‐Verhältnissen von 0.75‐1.5, Dichten von 2.8‐2.2g cm ‐3 , Brechungsindizees von 1.9‐2.3, Druckspannungen von 2·10 9 dyn cm ‐2 und Zugspannungen bis zu 5·10 9 dyn cm ‐2 sowie elektrischen Widerständen bei 2·10 6 V cm ‐1 von 10 20 ‐10 4 Ω·cm synthetisiert.
Referência(s)