Formation of Buried Iridium Silicide Layer in Silicon by High Dose Iridium Ion Implantation

1989; Cambridge University Press; Volume: 147; Linguagem: Inglês

10.1557/proc-147-229

ISSN

1946-4274

Autores

K. M. Yu, B. Katz, I. C. Wu, I.G. Brown,

Tópico(s)

Silicon and Solar Cell Technologies

Referência(s)
Altmetric
PlumX