Formation of Buried Iridium Silicide Layer in Silicon by High Dose Iridium Ion Implantation
1989; Cambridge University Press; Volume: 147; Linguagem: Inglês
10.1557/proc-147-229
ISSN1946-4274
AutoresK. M. Yu, B. Katz, I. C. Wu, I.G. Brown,
Tópico(s)Silicon and Solar Cell Technologies
Referência(s)