Artigo Revisado por pares

Estudo e caracterização de filme fino de CdTe obtido por eletrodeposição

2011; UNIVERSIDADE DE FORTALEZA; Volume: 32; Issue: 1 Linguagem: Português

ISSN

2318-0730

Autores

Francisco Lima,

Tópico(s)

Molecular Junctions and Nanostructures

Resumo

Este trabalho apresenta o estudo e a caracterizacao de filme fino de CdTe obtido atraves do processo eletrolitico de deposicao. O filme de CdTe foi eletrodepositado sob diferentes valores de potencial sobre substrato de Ti. Para este efeito, utilizaram-se as tecnicas de voltametria ciclica, de microscopia eletronica de varredura (MEV), de espectroscopia de analise da energia dispersiva por raios-X (EDX) e difratometria de raios-X (DR-X). E verificado que os filmes depositados nos diferentes potenciais apresentam aspecto morfologico semelhante, em forma globular. Foi constatado que, em valores de potencial de deposicao menores que -200 mV, ocorre a deposicao de estrutura dendritica. Todavia, este fato nao ocorre para valores de potencial igual a -150, -165 e -180 mV. A analise por EDX revelou que a razao estequiometrica atomica Cd/Te e de 1:1. E verificado que o filme de CdTe apresenta apenas a fase CdTe; tem-se os picos de difracao associados aos planos (111) e (311) de maiores intensidades relativas, indicando certa orientacao preferencial de crescimento do eletrodeposito. Pode-se concluir que na eletrodeposicao de CdTe tem-se a forte influencia do potencial, caracterizando a formacao de filme fino em -180 mV. E, por outro lado, e constatado que os eletrodepositos crescidos nos diferentes valores de potencial apresentam orientacao de crescimento preferencial.

Referência(s)