Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
2016; Elsevier BV; Volume: 616; Linguagem: Inglês
10.1016/j.tsf.2016.09.016
ISSN1879-2731
AutoresQian Xin, Linlong Yan, Lulu Du, Jiawei Zhang, Yi Luo, Qingpu Wang, Aimin Song,
Tópico(s)ZnO doping and properties
Referência(s)