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MICROESTRUTURA DE FILMES DE In 2 O 3 :Sn DEPOSITADOS POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA COM RÁDIO-FREQÜÊNCIA: INFLUÊNCIA NAS PROPRIEDADES ELÉTRICAS E ÓTICAS

2008; Volume: 24; Issue: 1 Linguagem: Português

10.17563/rbav.v24i1.129

1983-4047

C. Legnani, I. G. Mattoso, L. R. O. Cruz,

Chalcogenide Semiconductor Thin Films

Filmes finos transparentes de oxido de indio dopados com estanho foram depositados a temperatura ambiente por pulverizacao catodica com radio-frequencia assistida por campo magnetico, usando-se diferentes pressoes e potencias. Os filmes foram recozidos em vacuo (10 -6 Torr) na faixa de 473 K a 573 K. A microestrutura dos filmes foi avaliada a fim de investigar sua relacao com os parâmetros de processo, tais como pressao, potencia e temperatura de recozimento. Correlacoes entre a microestrutura e as propriedades eletro-opticas foram estabelecidas. Filmes crescidos em baixas pressoes sao cristalinos e tem resistencia superficial menor que a dos filmes depositados em pressoes elevadas. Filmes depositados em altas pressoes sao amorfos, mas podem ser cristalizados apos recozimento. Com a cristalizacao, a concentracao de portadores destes filmes aumentou, o que ocasionou um decrescimo na resistencia superficial e um alargamento da banda proibida.