Portal de Periódicos da CAPES

PROPRIEDADES DE FILMES FINOS DE ITO DEPOSITADOS A TEMPERATURA AMBIENTE POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA

1988; Volume: 7; Linguagem: Português

10.17563/rbav.v7i1-2.749

1983-4047

N. G. Dhere, L. R. O. Cruz, R. G. Dhere, T. J. Cotts,

solar cell performance optimization

Filmes finos transparentes e condutores de oxido de indio-estanho (ITO) depositados a baixa temperatura sao necessarios nas celulas solares de ITO/InP devido a dissociacao e perda do fosforo no fosfeto de indio quando este e aquecido. Foram preparadcs filmes de ITO, tipo—n, sobre substratos nao aquecidos, pela tecnica de pulverizacao catodica tipo magnetron a corrente continua e a radio frequencia. Obteve-se filmes finos com resistividade minima de 3,8x10-4 cm e 2,4 x l0-4 cm e uma boa transmitância otica pelos metodos de CC e RF, respectivanente. Os filmes apresentaram altas concentracoes de eletrons (maior que 1,25 x 1021 cm-3) juntamente com altas mobilidades (~30 cm2.v-I.s-1).