GaN electronics for high power, high temperature applications
2001; Elsevier BV; Volume: 82; Issue: 1-3 Linguagem: Inglês
10.1016/s0921-5107(00)00767-4
ISSN1873-4944
AutoresS. J. Pearton, F. Ren, A.P. Zhang, G. Dang, Xiyang Cao, K.P. Lee, H. Cho, F. Ren, J. W. Johnson, C. Monier, C. R. Abernathy, Jung Han, Albert G. Baca, Jen‐Inn Chyi, C.-M. Lee, Tzer‐En Nee, Chang‐Cheng Chuo, S. N. G. Chu,
Tópico(s)GaN-based semiconductor devices and materials
Referência(s)