Performance enhancement of gate-annealed AlGaN/GaN HEMTs
2017; Springer Science+Business Media; Volume: 70; Issue: 5 Linguagem: Inglês
10.3938/jkps.70.533
ISSN1976-8524
AutoresSomna S. Mahajan, Amit Malik, Robert Laishram, Seema Vinayak,
Tópico(s)Semiconductor materials and interfaces
Referência(s)