Artigo Revisado por pares

Performance enhancement of gate-annealed AlGaN/GaN HEMTs

2017; Springer Science+Business Media; Volume: 70; Issue: 5 Linguagem: Inglês

10.3938/jkps.70.533

ISSN

1976-8524

Autores

Somna S. Mahajan, Amit Malik, Robert Laishram, Seema Vinayak,

Tópico(s)

Semiconductor materials and interfaces

Referência(s)