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ESTUDO DA IMPLANTAÇÃO DE CROMO POR RECOIL EM SILÍCIO POR MEIO DE IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA DE NITROGÊNIO

2008; Volume: 25; Issue: 4 Linguagem: Português

10.17563/rbav.v25i4.47

1983-4047

C.B. Mello, M. Ueda, A.F. Beloto, Jukka Rossi, Borrero Moreno,

Electron and X-Ray Spectroscopy Techniques

A tecnica de tratamento de superficies de materiais conhecida por implantacao ionica por imersao em plasma foi utilizada no estudo da implantacao por recoil de atomos de cromo presentes na superficie do silicio polido. O filme metalico foi depositado por evaporacao e, em seguida, bombardeado por ions de nitrogenio visando a implantacao dos atomos de cromo balisticamente. Simulacoes numericas pelo metodo de Monte Carlo foram realizadas a fim de estimar o alcance medio dos ions e dos atomos implantados na matriz do silicio. Analises de Rocking Curve e Espectroscopia de Eletrons Auger foram realizadas para a caracterizacao das amostradas tratadas.